رقاقة Snapdragon تحقق نتائج جيدة على مواقع اختبارات الأداء

من المتوقع أن تشغل رقاقة Snapdragon 835 عدداً كبيراً من الهواتف الذكية الرائدة خلال عام 2017، وقد انتشرت معلومات جديدة واختبارات أداء لهذه الرقاقة على الإنترنت مع اقتراب إطلاقها.

وتأتي هذه المعلومات قبل أسبوع تقريباً من معرض CES 2017 الذي تنوي فيه كوالكوم التطرق إلى هذه الرقاقة الجديدة، حيث أوضح موقع اختبارات الأداء GFXBench بعض المعلومات حول هذه الرقاقة من خلال تجربتها على هاتف يتمتع بوحدة معالجة حاسوبية بتردد 1,9 جيجاهرتز وثمان نوى وذاكرة وصول عشوائي بحجم 4 جيجابايت ويعمل بنظام اندرويد 7,0 نوجا.

وقد أظهرت اختبارات النواة الواحدة أن الرقاقة حققت 1844 نقطة بينما حققت 5426 نقطة في اختبارات النوى المتعددة، ولا تعتبر هذه النتائج مبهرة نظراً لأن الجيل الحالي من معالج Snapdragon 821 الموجودة في هاتف وان بلس 3T تحقق نقاط قريبة من ذلك كما أن رقاقة Kirin 960 الخاصة بهواوي تتفوق عليها ب 1949 نقطة في اختبارات النواة الواحدة و 6439 نقطة في اختبارات النوى المتعددة.

وبالطبع فإن هذه الاختبارات مركزة على الأداء ولا تظهر قوة المعالج الأساسي، وقد رأينا معالج Snapdragon 635 يتفوق على رقاقات قوية مثل رقاقة ابل A10، ومن المتوقع أن تتمتع هواتف عديدة بهذه الرقاقة الجديدة في المستقبل.